絶縁導体およびその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20240516902
申请日
2022-09-05
公开(公告)号
JP2024536028A
公开(公告)日
2024-10-04
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01B7/02
IPC分类号
H01F5/06 H02K3/30
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6378383B1 ,2018-08-22
[2]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014009996A1 ,2016-06-20
[3]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011033665A1 ,2013-02-07
[4]
半導体素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016125520A1 ,2017-09-14
[5]
半導体素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020080124A1 ,2021-09-30
[6]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014009997A1 ,2016-06-20
[7]
透明導電体およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013047341A1 ,2015-03-26
[8]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008142768A1 ,2010-08-05
[9]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011111781A1 ,2013-06-27
[10]
半導体素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006109760A1 ,2008-11-20