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半導体装置およびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090515037
申请日
:
2007-05-21
公开(公告)号
:
JPWO2008142768A1
公开(公告)日
:
2010-08-05
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L27/105
IPC分类号
:
H01L27/10
H01L45/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014009996A1
,2016-06-20
[2]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011033665A1
,2013-02-07
[3]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014009997A1
,2016-06-20
[4]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011111781A1
,2013-06-27
[5]
半導体素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6378383B1
,2018-08-22
[6]
半導体素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020080124A1
,2021-09-30
[7]
半導体素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016125520A1
,2017-09-14
[8]
半導体素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006109760A1
,2008-11-20
[9]
半導体素子およびその製造方法[ja]
[P].
MATSUMOTO RYOSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORP
SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORP
MATSUMOTO RYOSUKE
.
日本专利
:JP2024012345A
,2024-01-30
[10]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020031636A1
,2021-08-12
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