半導体素子およびその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20160573240

申请日：

2016-01-06

公开(公告)号：

JPWO2016125520A1

公开(公告)日：

2017-09-14

发明(设计)人：

申请人：

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IPC主分类号：

H01C7/02

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共 50 条

[1]

半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6378383B1 ,2018-08-22

[2]

半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020080124A1 ,2021-09-30

[3]

半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006109760A1 ,2008-11-20

[4]

半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

MATSUMOTO RYOSUKE .

日本专利 :JP2024012345A ,2024-01-30

[5]

光半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2002059982A1 ,2004-05-27

[6]

基板、基板の製造方法、半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011021715A1 ,2013-01-24

[7]

半導体素子及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004112148A1 ,2006-07-20

[8]

半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P].

TANAKA HAJIME .

日本专利 :JP2025036957A ,2025-03-17

[9]

半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025150252A ,2025-10-09

[10]

半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P].

HIRATANI TAKUO ;

KIKUCHI TAKEHIKO ;

INOUE NAOKO .

日本专利 :JP2025121155A ,2025-08-19

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