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多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置[ja]
被引：0
申请号：
JP20070535437
申请日：
2006-09-08
公开(公告)号：
JPWO2007032261A1
公开(公告)日：
2009-03-19
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/312
IPC分类号：
H01L21/316
H01L21/768
H01L23/522
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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