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組成物の製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090531680
申请日
:
2009-03-30
公开(公告)号
:
JPWO2009123104A1
公开(公告)日
:
2011-07-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C08L83/04
IPC分类号
:
C08J9/26
C08K3/08
C08K5/54
C09D7/45
C09D7/61
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
多孔質絶縁膜及びその製造方法並びに多孔質絶縁膜を用いた半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005053009A1
,2007-06-21
[2]
多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007032261A1
,2009-03-19
[3]
有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜及びその製造方法、並びに、有機半導体素子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016129479A1
,2017-06-15
[4]
絶縁膜材料、多層配線基板及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009008212A1
,2010-09-02
[5]
有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜及びその製造方法、並びに、有機半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018061821A1
,2019-03-22
[6]
有機半導体膜形成用の組成物、有機半導体膜、及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016024485A1
,2017-06-01
[7]
有機半導体素子及びその製造方法、有機半導体組成物、並びに、有機半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016098654A1
,2017-06-15
[8]
有機半導体素子及びその製造方法、化合物、有機半導体組成物、並びに、有機半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6285075B2
,2018-02-28
[9]
有機半導体素子及びその製造方法、化合物、有機半導体組成物、並びに、有機半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016148169A1
,2017-06-29
[10]
光半導体保護材及びその前駆体並びに光半導体保護材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011132589A1
,2013-07-18
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