組成物の製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜[ja]

被引:0
申请号
JP20090531680
申请日
2009-03-30
公开(公告)号
JPWO2009123104A1
公开(公告)日
2011-07-28
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C08L83/04
IPC分类号
C08J9/26 C08K3/08 C08K5/54 C09D7/45 C09D7/61
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[2]
多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007032261A1 ,2009-03-19