半導体集積回路の製造方法および半導体集積回路[ja]

被引：0

申请号：

JP20040570947

申请日：

2004-01-14

公开(公告)号：

JPWO2004064161A1

公开(公告)日：

2006-05-18

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L27/082

IPC分类号：

H01L21/331 H01L21/8222 H01L21/8249 H01L27/06 H01L29/737

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共 50 条

[1]

半導体光集積素子[ja] [P].

日本专利 :JP7226668B1 ,2023-02-21

[2]

半導体光集積素子及び光集積装置[ja] [P].

日本专利 :JP7031082B1 ,2022-03-07

[3]

ＲＦ集積回路用半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2025501019A ,2025-01-15

[4]

半導体装置、および半導体装置の製造方法[ja] [P].

HARADA YUSUKE .

日本专利 :JP2024103169A ,2024-08-01

[5]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

MIYATA YUSUKE ;

HARAGUCHI TOMOKI ;

MINAMITAKE HARUHIKO ;

HOSHI TAIKI ;

AKAO MASAYA ;

KOKETSU HIDENORI .

日本专利 :JP2025126502A ,2025-08-29

[6]

半導体基板および半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016006663A1 ,2017-04-27

[7]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7378693B1 ,2023-11-13

[8]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

YAMASAKI MASANAO ;

TABATA TOSHIHITO ;

TADANO AKIYOSHI ;

DOI SHINSUKE ;

KOBAYASHI TOSHIYUKI .

日本专利 :JP2025124488A ,2025-08-26

[9]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005013374A1 ,2006-09-28

[10]

半導体基板および半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7359399B1 ,2023-10-11

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