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金属膜付き半導体デバイスの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180209003
申请日
:
2018-11-06
公开(公告)号
:
JP7184458B2
公开(公告)日
:
2022-12-06
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/301
IPC分类号
:
B23K26/36
B23K26/364
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体デバイス製造用キャリア基板及び半導体デバイス製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025178723A
,2025-12-09
[2]
金属膜および金属膜の製造方法ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7780391B2
,2025-12-04
[3]
金属膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7126681B2
,2022-08-29
[4]
金属膜パターン付き基体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5818252B2
,2015-11-18
[5]
金属膜形成用組成物の製造方法、金属膜の製造方法、金属膜、金属膜積層体及び金属膜形成用組成物の製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020045367A1
,2021-08-10
[6]
金属膜形成用組成物の製造方法、金属膜の製造方法、金属膜、金属膜積層体及び金属膜形成用組成物の製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6912845B2
,2021-08-04
[7]
金属膜および金属膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7730135B2
,2025-08-27
[8]
酸化金属膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6163395B2
,2017-07-12
[9]
金属膜付き樹脂フィルムの製造装置と製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7161143B2
,2022-10-26
[10]
金属膜付き樹脂フィルムの製造装置と製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6648800B1
,2020-02-14
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