半導体膜の製造[ja]

被引：0

申请号：

JP20160549450

申请日：

2015-01-14

公开(公告)号：

JP2017512187A

公开(公告)日：

2017-05-18

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C07C259/06

IPC分类号：

C01B19/04 C01F7/30 C01G3/02 C01G9/02 C01G15/00 C01G19/00 C01G19/02 C01G49/06 H01L31/0749 H01L31/18

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013153777A1 ,2015-12-17

[2]

半導体構造体の製造[ja] [P].

日本专利 :JP2023523167A ,2023-06-02

[3]

酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7066658B2 ,2022-05-13

[4]

酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7615270B2 ,2025-01-16

[5]

半導体装置、半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025144693A ,2025-10-03

[6]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005013374A1 ,2006-09-28

[7]

金属酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6096102B2 ,2017-03-15

[8]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

YONEDA SHUNICHI ;

MATSUO KAZUNORI ;

TODA MASAYA ;

TAKAHASHI KOTA ;

NAKADA SOYA ;

TORAYA KENICHIRO ;

HOANG HA ;

DOI TAKUMA ;

MORIYAMA WAKAKO .

日本专利 :JP2025047788A ,2025-04-03

[9]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013133005A1 ,2015-07-30

[10]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017217335A1 ,2018-12-06

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