ＶＴＥ、電子機器およびそれらを用いる半導体材料のための置換１，２，３−トリイリデントリス（シアノメタニルイリデン））シクロプロパン[ja]

被引：0

申请号：

JP20170532070

申请日：

2015-12-16

公开(公告)号：

JP2018506137A

公开(公告)日：

2018-03-01

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H05B33/10

IPC分类号：

C07C255/51 C07D213/84 C07D239/30 H01L51/50 H05B33/12 H10N10/856

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

ＶＴＥ、電子機器およびそれらを用いる半導体材料のための置換１，２，３−トリイリデントリス（シアノメタニルイリデン））シクロプロパン[ja] [P].

日本专利 :JP6649952B2 ,2020-02-19

[2]

シクロデキストリン系のポリアニオン性デンドリマーおよび非イオン性デンドリマー[ja] [P].

日本专利 :JP2017523260A ,2017-08-17

[3]

シクロデキストリンを使用するための方法[ja] [P].

ALESSIA FORNONI ;

SANDRA MERSCHER-GOMEZ .

日本专利 :JP2023178518A ,2023-12-15

[4]

ポリアニオン性および非イオン性のシクロデキストリン系デンドリマーの医薬組成物およびその使用[ja] [P].

日本专利 :JP2018510912A ,2018-04-19

[5]

電子素子のための材料としてのトリアリールアミン置換ベンゾ［Ｈ］キノリン誘導体[ja] [P].

日本专利 :JP2016540727A ,2016-12-28

[6]

置換アミノトリアゾロピリミジン及びアミノトリアゾロピラジンアデノシン受容体アンタゴニスト、医薬組成物及びそれらの使用[ja] [P].

日本专利 :JP2022507734A ,2022-01-18

[7]

ヒトインスリンまたはそのアナログのアシル化誘導体[ja] [P].

日本专利 :JP2022095872A ,2022-06-28

[8]

Ｓ−アデノシルメチオニンのリサイクル方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019160059A1 ,2021-03-11

[9]

セリシンを用いたトランスフェクションデバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009028421A1 ,2010-12-02

[10]

アルテアンヌイン−シクロデキストリン結合体及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016503078A ,2016-02-01

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