ＶＴＥ、電子機器およびそれらを用いる半導体材料のための置換１，２，３−トリイリデントリス（シアノメタニルイリデン））シクロプロパン[ja]

被引：0

申请号：

JP20170532070

申请日：

2015-12-16

公开(公告)号：

JP6649952B2

公开(公告)日：

2020-02-19

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H05B33/10

IPC分类号：

C07C255/51 C07D213/84 C07D239/30 H01L51/50 H05B33/12

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共 50 条

[1]

ＶＴＥ、電子機器およびそれらを用いる半導体材料のための置換１，２，３−トリイリデントリス（シアノメタニルイリデン））シクロプロパン[ja] [P].

日本专利 :JP2018506137A ,2018-03-01

[2]

半導体パターニングアプリケーションのための酸化スズおよび炭化スズ材料[ja] [P].

日本专利 :JP2023552977A ,2023-12-20

[3]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024543564A ,2024-11-21

[4]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023527517A ,2023-06-29

[5]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024531173A ,2024-08-29

[6]

３次元メモリデバイスのスルーアレイコンタクト（ＴＡＣ）[ja] [P].

日本专利 :JP2021520647A ,2021-08-19

[7]

半導体アプリケーション用の水平ゲートオールアラウンドデバイスのためのナノワイヤ製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019500756A ,2019-01-10

[8]

電気的ｎドーパントおよび電子輸送マトリクスを含む有機半導体材料、および該半導体材料を含む電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7242922B2 ,2023-03-20

[9]

電気的ｎドーパントおよび電子輸送マトリクスを含む有機半導体材料、および該半導体材料を含む電子デバイス[ja] [P].

CARSTEN ROTHE ;

DOMAGOJ PAVICIC ;

GANIER JEROME ;

VYGINTAS JANKUS ;

KIM HYUNGSUN ;

KIM BYUNGKU .

日本专利 :JP2022058621A ,2022-04-12

[10]

電気的ｎドーパントおよび電子輸送マトリクスを含む有機半導体材料、および該半導体材料を含む電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7011442B2 ,2022-01-26

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