薄膜光電変換装置および薄膜光電変換装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20110541910

申请日：

2010-11-15

公开(公告)号：

JPWO2011062130A1

公开(公告)日：

2013-04-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L31/04

IPC分类号：

H01L31/06 H01L31/076 H01L31/077

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共 50 条

[1]

光電変換素子の製造方法および光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2003038909A1 ,2005-02-24

[2]

薄膜光電変換装置用基板とそれを含む薄膜光電変換装置、並びに薄膜光電変換装置用基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009142156A1 ,2011-09-29

[3]

光電変換素子用材料、光電変換素子の製造方法及び光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013008889A1 ,2015-02-23

[4]

光電変換素子の製造方法、光電変換素子及び光電気化学電池[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011118581A1 ,2013-07-04

[5]

半導体層の製造方法、および光電変換装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011074645A1 ,2013-04-25

[6]

光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013094446A1 ,2015-04-27

[7]

光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014087586A1 ,2017-01-05

[8]

光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011004446A1 ,2012-12-13

[9]

多接合光電変換装置、集積型多接合光電変換装置、並びにその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011024534A1 ,2013-01-24

[10]

光電変換素子とその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6487005B1 ,2019-03-20

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