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化合物半導体装置及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150010723
申请日
:
2015-01-22
公开(公告)号
:
JP6447166B2
公开(公告)日
:
2019-01-09
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/329
IPC分类号
:
H01L21/338
H01L21/8232
H01L21/8234
H01L21/8249
H01L27/06
H01L29/06
H01L29/778
H01L29/812
H01L29/88
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物半導体の製造装置及び化合物半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5644256B2
,2014-12-24
[2]
化合物半導体及びその製造方法[ja]
[P].
KOMURA YUTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DENSO CORP
DENSO CORP
KOMURA YUTA
.
日本专利
:JP2025123019A
,2025-08-22
[3]
化合物半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018221711A1
,2020-04-09
[4]
化合物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6020043B2
,2016-11-02
[5]
化合物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5895651B2
,2016-03-30
[6]
化合物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5891650B2
,2016-03-23
[7]
化合物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5614411B2
,2014-10-29
[8]
化合物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5741042B2
,2015-07-01
[9]
化合物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5608969B2
,2014-10-22
[10]
化合物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5866782B2
,2016-02-17
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