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窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法、回路基板、並びに接合基板[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220506463
申请日
:
2021-06-21
公开(公告)号
:
JP7080422B1
公开(公告)日
:
2022-06-03
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C04B35/582
IPC分类号
:
H01L23/13
H05K1/03
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
窒化アルミニウム焼結体、及び基板[ja]
[P].
日本专利
:JP7043689B1
,2022-03-29
[2]
窒化アルミニウム基板、窒化アルミニウム回路基板、半導体装置および窒化アルミニウム基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010109960A1
,2012-09-27
[3]
窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008093871A1
,2010-05-20
[4]
窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019021919A1
,2019-11-14
[5]
窒化珪素焼結体基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013146789A1
,2015-12-14
[6]
結晶化ガラスと窒化アルミニウム焼結体の接合体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2001044143A1
,2004-01-08
[7]
回路基板及び回路基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014115252A1
,2017-01-19
[8]
立方晶窒化ホウ素焼結体及びその製造方法、並びに工具[ja]
[P].
日本专利
:JP6900590B1
,2021-07-07
[9]
窒化アルミニウム単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011065534A1
,2013-04-18
[10]
回路基板、表示装置及び回路基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011089767A1
,2013-05-20
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