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酸化物半導体[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170546510
申请日
:
2016-10-12
公开(公告)号
:
JPWO2017069022A1
公开(公告)日
:
2018-07-19
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C01G33/00
IPC分类号
:
C04B35/495
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP6665536B2
,2020-03-13
[2]
酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP6562321B2
,2019-08-21
[3]
酸化物半導体膜、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025146796A
,2025-10-03
[4]
酸化物半導体層、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6246254B2
,2017-12-13
[5]
酸化物半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6420968B2
,2018-11-07
[6]
酸化物半導体膜[ja]
[P].
YAMAZAKI SHUNPEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
YAMAZAKI SHUNPEI
;
SAKAKURA MASAYUKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SAKAKURA MASAYUKI
;
MIYANAGA SHOJI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
MIYANAGA SHOJI
;
TAKAHASHI MASAHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
TAKAHASHI MASAHIRO
;
HIROHASHI TAKUYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
HIROHASHI TAKUYA
;
SHIMAZU TAKASHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SHIMAZU TAKASHI
.
日本专利
:JP2025107465A
,2025-07-17
[7]
酸化物半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012014628A1
,2013-09-12
[8]
酸化物半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6031537B2
,2016-11-24
[9]
酸化物半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JP5689490B2
,2015-03-25
[10]
酸化物半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6486712B2
,2019-03-20
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