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酸化物半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120526391
申请日
:
2011-07-01
公开(公告)号
:
JPWO2012014628A1
公开(公告)日
:
2013-09-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H01L27/10
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物半導体膜、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025146796A
,2025-10-03
[2]
酸化物半導体層、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6246254B2
,2017-12-13
[3]
酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP6665536B2
,2020-03-13
[4]
酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP6562321B2
,2019-08-21
[5]
酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017069022A1
,2018-07-19
[6]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155033A1
,2019-12-19
[7]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6495808B2
,2019-04-03
[8]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6933400B2
,2021-09-08
[9]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7037197B2
,2022-03-16
[10]
酸化物半導体及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155034A1
,2019-12-19
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