半導体材料、導電性層にキャリアを生じさせる方法、熱電変換素子、及びスイッチング素子[ja]

被引：0

申请号：

JP20170545507

申请日：

2016-10-14

公开(公告)号：

JP6744609B2

公开(公告)日：

2020-08-26

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10N10/17

IPC分类号：

H02N11/00 H10N10/851 H10N10/856 H10N30/30 H10N30/857

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共 50 条

[1]

半導体材料、導電性層にキャリアを生じさせる方法、熱電変換素子、及びスイッチング素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017065306A1 ,2018-09-20

[2]

熱電変換用の半導体材料およびそれを用いた熱電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JP7588811B2 ,2024-11-25

[3]

アントラセン誘導体、有機半導体材料、光電変換素子用材料、有機薄膜、及び有機光電変換素子[ja] [P].

MAEDA KENTARO ;

YAKUSHIJI HIDENORI ;

NIIMI KAZUKI ;

HORI SHUNSUKE .

日本专利 :JP2025079668A ,2025-05-22

[4]

フラーレン誘導体、ｎ型半導体材料、有機発電層、及び光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JP7680786B2 ,2025-05-21

[5]

窒化物絶縁体材料及びその製造方法並びに熱流スイッチング素子と熱電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JP7786019B2 ,2025-12-16

[6]

高電圧半導体素子及びその素子を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018511184A ,2018-04-19

[7]

有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体素子、有機薄膜トランジスタ、電界効果型トランジスタ及びスイッチング素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006090569A1 ,2008-07-24

[8]

半導体素子および管状熱電モジュールを生産する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015510687A ,2015-04-09

[9]

光電子半導体デバイス、光電子半導体デバイスのアレイ、及び光電子半導体デバイスを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024526040A ,2024-07-17

[10]

異なる半導体材料の半導体相互接続層及び半導体チャネル層を備えたトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP6041139B2 ,2016-12-07

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