有機半導体薄膜の形成方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20090520590

申请日：

2008-06-24

公开(公告)号：

JPWO2009001816A1

公开(公告)日：

2010-08-26

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/368

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/786 H01L51/05 H01L51/40

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法律状态信息

共 50 条

[1]

有機薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014136942A1 ,2017-02-16

[2]

有機半導体薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014175351A1 ,2017-02-23

[3]

有機半導体材料薄膜の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006137233A1 ,2009-01-08

[4]

有機半導体微粒子材料、有機半導体薄膜、有機半導体膜形成用分散液、有機半導体薄膜の製造方法および有機薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012029544A1 ,2013-10-28

[5]

有機半導体材料分子を用いた薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP5635407B2 ,2014-12-03

[6]

有機薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008059840A1 ,2010-03-04

[7]

有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006098121A1 ,2008-08-21

[8]

有機半導体材料の作製方法、及び、有機半導体材料[ja] [P].

日本专利 :JP5667704B2 ,2015-02-12

[9]

有機半導体材料の作製方法、及び、有機半導体材料[ja] [P].

日本专利 :JP5667703B2 ,2015-02-12

[10]

有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料[ja] [P].

日本专利 :JP6159188B2 ,2017-07-05

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