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ビスマスおよびタングステンを含有する多元素酸化物の共沈による製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170561274
申请日
:
2016-05-25
公开(公告)号
:
JP2018516750A
公开(公告)日
:
2018-06-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
B01J37/03
IPC分类号
:
B01J23/888
B01J35/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化タングステンおよびタングステン混合酸化物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019504814A
,2019-02-21
[2]
酸化タングステンおよびタングステン混合酸化物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7021091B2
,2022-02-16
[3]
モリブデンおよびビスマスを含有する混合金属酸化物触媒の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018521851A
,2018-08-09
[4]
モリブデンおよびビスマスを含有する混合金属酸化物触媒の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6861696B2
,2021-04-21
[5]
タングステン酸化物の置換元素の選択方法、置換タングステン酸化物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7040213B2
,2022-03-23
[6]
複合タングステン酸化物の置換元素の選択方法、複合タングステン酸化物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6657038B2
,2020-03-04
[7]
複合タングステン酸化物の置換元素の選択方法、複合タングステン酸化物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6668185B2
,2020-03-18
[8]
薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを製造する方法[ja]
[P].
TODA TATSUYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AGC INC
AGC INC
TODA TATSUYA
.
日本专利
:JP2024099070A
,2024-07-25
[9]
タングステン酸化合物及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003080516A1
,2005-07-21
[10]
鉛−タングステンベースの酸化物を含有する厚膜ペーストおよび半導体デバイスの製造でのその使用[ja]
[P].
日本专利
:JP2017534560A
,2017-11-24
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