ピリジニウム化合物、その合成方法、前記ピリジニウム化合物を含有する金属又は金属合金めっき浴、及び前記金属又は金属合金めっき浴の使用方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20190542997

申请日：

2018-01-26

公开(公告)号：

JP2020508396A

公开(公告)日：

2020-03-19

发明(设计)人：

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IPC主分类号：

C25D3/38

IPC分类号：

C07D213/38 C25D7/00 C25D7/12

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[1]

ピリジニウム化合物、その合成方法、前記ピリジニウム化合物を含有する金属又は金属合金めっき浴、及び前記金属又は金属合金めっき浴の使用方法[ja] [P].

日本专利 :JP6997199B2 ,2022-01-17

[2]

金属又は金属合金の析出組成物及びめっき化合物[ja] [P].

日本专利 :JP7021370B2 ,2022-02-16

[3]

金属又は金属合金の析出組成物及びめっき化合物[ja] [P].

日本专利 :JP2021511439A ,2021-05-06

[4]

金属めっき浴中の硫黄含有化合物の合計量のモニタリング方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018537589A ,2018-12-20

[5]

金属めっき浴中の硫黄含有化合物の合計量のモニタリング方法[ja] [P].

日本专利 :JP6612451B2 ,2019-11-27

[6]

金属めっき浴中の硫黄含有化合物の合計量のモニタリング方法[ja] [P].

日本专利 :JP6903112B2 ,2021-07-14

[7]

ピリジン−２−イルピリジニウム化合物およびその使用方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017018409A1 ,2018-01-11

[8]

ピリジン−２−イルピリジニウム化合物およびその使用方法[ja] [P].

日本专利 :JP6528159B2 ,2019-06-12

[9]

アミン化合物を含有するインジウム電気めっき組成物及びインジウムを電気めっきする方法[ja] [P].

日本专利 :JP6427631B2 ,2018-11-21

[10]

ピリジニウム基を有するセフェム化合物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013002215A1 ,2015-02-23

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