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化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150243951
申请日
:
2015-12-15
公开(公告)号
:
JP6623736B2
公开(公告)日
:
2019-12-25
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B29/38
IPC分类号
:
C30B23/02
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6624110B2
,2019-12-25
[2]
CdTe系化合物単結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017006597A1
,2018-05-24
[3]
CdTe系化合物単結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6448789B2
,2019-01-09
[4]
化合物半導体多結晶、化合物半導体単結晶の製造方法、ならびに化合物半導体多結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6628668B2
,2020-01-15
[5]
化合物結晶製造用のルツボ、化合物結晶の製造装置及びルツボを用いた化合物結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013015301A1
,2015-02-23
[6]
化合物結晶製造用のルツボ、化合物結晶の製造装置及びルツボを用いた化合物結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5741691B2
,2015-07-01
[7]
化合物半導体単結晶、化合物半導体ウエハ、および化合物半導体単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5981356B2
,2016-08-31
[8]
化合物半導体単結晶の製造方法および結晶成長装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008099839A1
,2010-05-27
[9]
化合物半導体および化合物半導体単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018179567A1
,2020-02-13
[10]
CdTe系化合物半導体単結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6456782B2
,2019-01-23
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