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CdTe系化合物単結晶及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170527094
申请日
:
2016-03-29
公开(公告)号
:
JP6448789B2
公开(公告)日
:
2019-01-09
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B29/48
IPC分类号
:
C30B33/02
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
CdTe系化合物単結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017006597A1
,2018-05-24
[2]
CdTe系化合物半導体単結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6456782B2
,2019-01-23
[3]
化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6624110B2
,2019-12-25
[4]
化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6623736B2
,2019-12-25
[5]
CdTe系化合物半導体単結晶[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006054580A1
,2008-05-29
[6]
TiAl金属間化合物の単結晶材料及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017536327A
,2017-12-07
[7]
TiAl金属間化合物の単結晶材料及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6944874B2
,2021-10-06
[8]
化合物の結晶多形、その製造方法及び用途[ja]
[P].
日本专利
:JP7145931B2
,2022-10-03
[9]
化合物の結晶多形、その製造方法及び用途[ja]
[P].
日本专利
:JP2020518662A
,2020-06-25
[10]
化合物の特定形状の結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7506892B2
,2024-06-27
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