CdTe系化合物半導体単結晶[ja]

被引:0
申请号
JP20060545089
申请日
2005-11-16
公开(公告)号
JPWO2006054580A1
公开(公告)日
2008-05-29
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C30B29/48
IPC分类号
C01B19/00 C01B19/04
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
[3]
CdTe系化合物単結晶及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6448789B2 ,2019-01-09
[4]
CdTe系化合物単結晶及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017006597A1 ,2018-05-24
[6]
[8]
化合物半導体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012077526A1 ,2014-05-19
[9]
窒化物系化合物半導体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015182283A1 ,2017-04-20
[10]
窒化物系化合物半導体[ja] [P]. 
日本专利 :JP6174253B2 ,2017-08-02