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CdTe系化合物半導体単結晶[ja]
被引:0
申请号
:
JP20060545089
申请日
:
2005-11-16
公开(公告)号
:
JPWO2006054580A1
公开(公告)日
:
2008-05-29
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B29/48
IPC分类号
:
C01B19/00
C01B19/04
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
CdTe系化合物半導体単結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6456782B2
,2019-01-23
[2]
化合物半導体単結晶、化合物半導体ウエハ、および化合物半導体単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5981356B2
,2016-08-31
[3]
CdTe系化合物単結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6448789B2
,2019-01-09
[4]
CdTe系化合物単結晶及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017006597A1
,2018-05-24
[5]
結晶成長装置、窒化物系化合物半導体結晶の製造方法及び窒化物系化合物半導体結晶[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011108640A1
,2013-06-27
[6]
化合物半導体および化合物半導体単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018179567A1
,2020-02-13
[7]
化合物半導体多結晶、化合物半導体単結晶の製造方法、ならびに化合物半導体多結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6628668B2
,2020-01-15
[8]
化合物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012077526A1
,2014-05-19
[9]
窒化物系化合物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015182283A1
,2017-04-20
[10]
窒化物系化合物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP6174253B2
,2017-08-02
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