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インダクタ構造体およびインダクタ構造体を形成する方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190500463
申请日
:
2017-06-13
公开(公告)号
:
JP2019527476A
公开(公告)日
:
2019-09-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01F10/30
IPC分类号
:
H01F10/16
H01F17/04
H01F41/20
H01L21/822
H01L27/04
H10N97/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
インダクタ部品[ja]
[P].
日本专利
:JP2022173530A
,2022-11-18
[2]
インダクタ部品[ja]
[P].
YOSHIOKA YOSHIMASA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MURATA MANUFACTURING CO
MURATA MANUFACTURING CO
YOSHIOKA YOSHIMASA
;
HIGUCHI YUICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MURATA MANUFACTURING CO
MURATA MANUFACTURING CO
HIGUCHI YUICHI
.
日本专利
:JP2023166879A
,2023-11-22
[3]
半導体構造体および半導体構造体を形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021504940A
,2021-02-15
[4]
積層インダクタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010084677A1
,2012-07-12
[5]
フィン構造を有する半導体装置、およびフィン構造を有する半導体装置を形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015517220A
,2015-06-18
[6]
半導体デバイス構造、および、当該半導体デバイス構造を形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025128059A
,2025-09-02
[7]
酸化物層を有する構造体、該構造体の製造方法、並びに該構造体を用いたコンデンサ及びフィルタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2002062569A1
,2004-11-11
[8]
インダクタ及び電磁シールドを有する堆積リアクタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022504358A
,2022-01-13
[9]
フォトダイオード構造の製造方法およびフォトダイオード構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2024501694A
,2024-01-15
[10]
特に、正面側型撮像装置のための、セミコンダクタオンインシュレータ型構造、及びこのような構造を製作する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020511777A
,2020-04-16
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