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半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110510316
申请日
:
2010-04-19
公开(公告)号
:
JPWO2010122985A1
公开(公告)日
:
2012-10-25
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
B24B37/00
B24B37/04
C09K3/14
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体基板の研磨液及び研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025152726A
,2025-10-10
[2]
CMP研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012165016A1
,2015-02-23
[3]
化合物半導体基板研磨用の研磨液、及び、化合物半導体基板の研磨方法[ja]
[P].
SAKAI AYUMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
SAKAI AYUMI
.
日本专利
:JP2023166263A
,2023-11-21
[4]
半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011158718A1
,2013-08-19
[5]
化合物半導体基板研磨用の研磨液[ja]
[P].
SAKAI AYUMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYST LTD
DISCO ABRASIVE SYST LTD
SAKAI AYUMI
;
KOJIMA KATSUYOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYST LTD
DISCO ABRASIVE SYST LTD
KOJIMA KATSUYOSHI
.
日本专利
:JP2024037247A
,2024-03-19
[6]
研磨方法、半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6775722B1
,2020-10-28
[7]
半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014077370A1
,2017-01-05
[8]
化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6622106B2
,2019-12-18
[9]
化合物半導体基板、半導体装置及び化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6557538B2
,2019-08-07
[10]
半導体装置用基板[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020115869A1
,2021-09-30
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