半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja]

被引:0
申请号
JP20110510316
申请日
2010-04-19
公开(公告)号
JPWO2010122985A1
公开(公告)日
2012-10-25
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
B24B37/00 B24B37/04 C09K3/14
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体基板の研磨液及び研磨方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025152726A ,2025-10-10
[2]
CMP研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012165016A1 ,2015-02-23
[3]
化合物半導体基板研磨用の研磨液、及び、化合物半導体基板の研磨方法[ja] [P]. 
SAKAI AYUMI .
日本专利 :JP2023166263A ,2023-11-21
[4]
半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011158718A1 ,2013-08-19
[5]
化合物半導体基板研磨用の研磨液[ja] [P]. 
SAKAI AYUMI ;
KOJIMA KATSUYOSHI .
日本专利 :JP2024037247A ,2024-03-19
[6]
研磨方法、半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6775722B1 ,2020-10-28
[7]
[10]
半導体装置用基板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020115869A1 ,2021-09-30