研磨方法、半導体基板の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200542462

申请日：

2020-04-03

公开(公告)号：

JP6775722B1

公开(公告)日：

2020-10-28

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

B24B37/24 H01L21/02 H01L21/12

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共 50 条

[1]

基板、基板の製造方法、半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011021715A1 ,2013-01-24

[2]

半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014077370A1 ,2017-01-05

[3]

半導体基板構造体の製造方法及び半導体基板構造体[ja] [P].

MAEKAWA TAKUJI .

日本专利 :JP2022177018A ,2022-11-30

[4]

半導体基板構造体の製造方法及び半導体基板構造体[ja] [P].

日本专利 :JP2022177017A ,2022-11-30

[5]

半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010122985A1 ,2012-10-25

[6]

半導体基板の製造方法及び半導体基板製造用組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020171054A1 ,2021-12-16

[7]

半導体装置の製造方法および半導体基板[ja] [P].

AMANO HIROSHI ;

O YOSHI ;

LIN YINGYING .

日本专利 :JP2025118239A ,2025-08-13

[8]

研磨液、研磨方法、部品の製造方法、及び、半導体部品の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025159069A ,2025-10-17

[9]

半導体基板及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016513356A ,2016-05-12

[10]

化合物半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6450086B2 ,2019-01-09

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