半導体基板構造体の製造方法及び半導体基板構造体[ja]

被引：0

申请号：

JP20220135180

申请日：

2022-08-26

公开(公告)号：

JP2022177017A

公开(公告)日：

2022-11-30

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B33/06

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/20 H01L21/329 H01L21/336 H01L29/04 H01L29/06 H01L29/12 H01L29/47 H01L29/739 H01L29/78 H01L29/872

代理机构：

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法律状态：

国省代码：

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共 50 条

[1]

半導体基板構造体の製造方法及び半導体基板構造体[ja] [P].

MAEKAWA TAKUJI .

日本专利 :JP2022177018A ,2022-11-30

[2]

半導体基板および半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016006663A1 ,2017-04-27

[3]

半導体基板および半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7359399B1 ,2023-10-11

[4]

接合半導体基板および接合半導体基板の製造方法[ja] [P].

UCHIDA EIJI ;

KOBAYASHI MOTOKI .

日本专利 :JP2025084380A ,2025-06-03

[5]

研磨方法、半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6775722B1 ,2020-10-28

[6]

半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7761181B1 ,2025-10-28

[7]

半導体装置製造方法及び半導体装置[ja] [P].

WASHIMI GAKU ;

IRIE MAKIKO ;

MIZUSAWA TATSUMA ;

UNO KAZUHIDE .

日本专利 :JP2024095337A ,2024-07-10

[8]

複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013161906A1 ,2015-12-24

[9]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

YAMASAKI MASANAO ;

TABATA TOSHIHITO ;

TADANO AKIYOSHI ;

DOI SHINSUKE ;

KOBAYASHI TOSHIYUKI .

日本专利 :JP2025124488A ,2025-08-26

[10]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013129279A1 ,2015-07-30

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