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2−6族半導体材料をアニールするためのチャンバー、装置、及び、方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100121300
申请日
:
2010-05-27
公开(公告)号
:
JP5631633B2
公开(公告)日
:
2014-11-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/383
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
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法律状态信息
共 50 条
[1]
アニールによるII−VI族の半導体材料中の沈殿物を除去するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6004601B2
,2016-10-12
[2]
半導体材料にドープするための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5833115B2
,2015-12-16
[3]
半導体材料の層をアニール処理するための装置、半導体材料の層をアニール処理する方法およびフラットパネルディスプレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2019532494A
,2019-11-07
[4]
半導体材料を処理するための方法及び光学系[ja]
[P].
日本专利
:JP2022533566A
,2022-07-25
[5]
半導体材料を処理するための方法及び光学系[ja]
[P].
日本专利
:JP7608363B2
,2025-01-06
[6]
半導体材料内に層を製作するための方法及び装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6069664B2
,2017-02-01
[7]
半導体材料ウェハを研磨するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5853041B2
,2016-02-09
[8]
半導体部品および半導体部品を製造するための装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022532048A
,2022-07-13
[9]
パターン化導体、半導体及び誘電体材料のための印刷処理[ja]
[P].
日本专利
:JP5681878B2
,2015-03-11
[10]
半導体デバイスを製作するための方法および半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2018506174A
,2018-03-01
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