多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja]

被引：0

申请号：

JP20160123646

申请日：

2016-06-22

公开(公告)号：

JP6258412B2

公开(公告)日：

2018-01-10

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/318 H01L29/788 H01L29/792 H10B43/30 H10B69/00

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共 50 条

[1]

多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja] [P].

日本专利 :JP2015516678A ,2015-06-11

[2]

多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja] [P].

日本专利 :JP5960724B2 ,2016-08-02

[3]

多層酸窒化物層を有する酸化物－窒化物－酸化物積層体[ja] [P].

日本专利 :JP7042852B2 ,2022-03-28

[4]

多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja] [P].

日本专利 :JP6709051B2 ,2020-06-10

[5]

酸化物又は酸窒化物シード層を有する高臨界温度金属窒化物層[ja] [P].

日本专利 :JP7515602B2 ,2024-07-12

[6]

酸化物又は酸窒化物シード層を有する高臨界温度金属窒化物層[ja] [P].

YANG ZIHAO ;

ZHU MINGWEI ;

SHRIRAM MANGIPUDI ;

MOHAMMAD KAMRUZZAMAN CHOWDHURY ;

SHANE LAVAN ;

CHEN ZHEBO ;

CAO YONG ;

NAG B PATIBANDLA .

日本专利 :JP2024150480A ,2024-10-23

[7]

酸化物又は酸窒化物シード層を有する高臨界温度金属窒化物層[ja] [P].

日本专利 :JP2023514369A ,2023-04-05

[8]

分割窒化物メモリ層を有するＳＯＮＯＳ積層体[ja] [P].

日本专利 :JP2015517211A ,2015-06-18

[9]

金属酸化物膜、金属酸化物積層体、及び金属酸化物積層体の製造方法[ja] [P].

IIZUKA MUNEAKI ;

FUJIMURA TOSHINOBU ;

NAKAZATO KATSUMI ;

SATO KYOHEI ;

HIRATA JUNYA .

日本专利 :JP2024113674A ,2024-08-22

[10]

金属酸化物膜、金属酸化物積層体、及び金属酸化物積層体の製造方法[ja] [P].

IIZUKA MUNEAKI ;

FUJIMURA TOSHINOBU ;

NAKAZATO KATSUMI ;

SATO KYOHEI ;

HIRATA JUNYA .

日本专利 :JP2024127825A ,2024-09-20

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