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酸化物又は酸窒化物シード層を有する高臨界温度金属窒化物層[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240106850
申请日
:
2024-07-02
公开(公告)号
:
JP2024150480A
公开(公告)日
:
2024-10-23
发明(设计)人
:
YANG ZIHAO
ZHU MINGWEI
SHRIRAM MANGIPUDI
MOHAMMAD KAMRUZZAMAN CHOWDHURY
SHANE LAVAN
CHEN ZHEBO
CAO YONG
NAG B PATIBANDLA
申请人
:
APPLIED MATERIALS INC
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N60/01
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物又は酸窒化物シード層を有する高臨界温度金属窒化物層[ja]
[P].
日本专利
:JP7515602B2
,2024-07-12
[2]
酸化物又は酸窒化物シード層を有する高臨界温度金属窒化物層[ja]
[P].
日本专利
:JP2023514369A
,2023-04-05
[3]
多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP2015516678A
,2015-06-11
[4]
多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP6258412B2
,2018-01-10
[5]
多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP5960724B2
,2016-08-02
[6]
多層酸窒化物層を有する酸化物-窒化物-酸化物積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP7042852B2
,2022-03-28
[7]
多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP6709051B2
,2020-06-10
[8]
分割窒化物メモリ層を有するSONOS積層体[ja]
[P].
日本专利
:JP2015517211A
,2015-06-18
[9]
酸化物クラッド層を有する窒化物ベースの電子デバイス及び製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020527857A
,2020-09-10
[10]
金属窒化物および金属炭化物を製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019531889A
,2019-11-07
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