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酸化物クラッド層を有する窒化物ベースの電子デバイス及び製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200501242
申请日
:
2018-06-14
公开(公告)号
:
JP2020527857A
公开(公告)日
:
2020-09-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01S5/20
IPC分类号
:
C23C16/34
H01L21/205
H01S5/343
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
III族窒化物光電子デバイスおよび製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021518671A
,2021-08-02
[2]
DRAMデバイス、DRAMデバイスを形成する方法及びゲート酸化物層を形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7176951B2
,2022-11-22
[3]
金属酸化物含有半導体層の製造方法及び電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6131949B2
,2017-05-24
[4]
金属酸化物含有半導体層の製造方法及び電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013180230A1
,2016-01-21
[5]
表面に酸化物層を有する非酸化物セラミックス、その製造方法およびその用途[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005070851A1
,2007-09-06
[6]
金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015198857A1
,2017-06-01
[7]
金属酸化物膜、金属酸化物膜の製造方法、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6250481B2
,2017-12-20
[8]
金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6177711B2
,2017-08-09
[9]
有機電子デバイス及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012160714A1
,2014-07-31
[10]
安定化された金属酸化物層を有する光電デバイスの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6181665B2
,2017-08-16
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