半導体記憶素子、半導体記憶装置、半導体システム及び制御方法[ja]

被引:0
申请号
JP20190511086
申请日
2018-02-19
公开(公告)号
JPWO2018186035A1
公开(公告)日
2020-02-13
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H10B51/30
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020137283A1 ,2021-11-11
[2]
半導体記憶素子、および電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017179314A1 ,2019-02-21
[3]
半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020045378A1 ,2021-09-24
[4]
半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013080506A1 ,2015-04-27
[5]
半導体素子の製造方法及び半導体基板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018055838A1 ,2019-07-18
[6]
半導体材料、および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019145827A1 ,2021-01-28
[7]
半導体材料、および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7202319B2 ,2023-01-11
[8]
半導体材料、および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019102314A1 ,2020-11-26
[9]
光半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007108117A1 ,2009-07-30