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半導体記憶素子、および電子機器[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180511915
申请日
:
2017-02-24
公开(公告)号
:
JPWO2017179314A1
公开(公告)日
:
2019-02-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G11C11/22
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L29/788
H01L29/792
H10B20/00
H10B51/00
H10B51/10
H10B51/30
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体素子および電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JP2023038266A
,2023-03-16
[2]
撮像素子、半導体素子および電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020059495A1
,2021-09-24
[3]
半導体素子およびその製造方法、並びに電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018194030A1
,2020-05-14
[4]
電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP6329951B2
,2018-05-23
[5]
電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2015534702A
,2015-12-03
[6]
半導体記憶素子、半導体記憶装置、半導体システム及び制御方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018186035A1
,2020-02-13
[7]
受光素子および電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019131134A1
,2021-01-21
[8]
撮像素子および電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020137282A1
,2021-11-11
[9]
酸化物系半導体材料および半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP6150752B2
,2017-06-21
[10]
有機半導体材料および電子部品[ja]
[P].
日本专利
:JP5810152B2
,2015-11-11
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