半導体記憶素子、および電子機器[ja]

被引:0
申请号
JP20180511915
申请日
2017-02-24
公开(公告)号
JPWO2017179314A1
公开(公告)日
2019-02-21
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
G11C11/22
IPC分类号
H01L21/336 H01L29/788 H01L29/792 H10B20/00 H10B51/00 H10B51/10 H10B51/30
代理机构
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法律状态
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共 50 条
[1]
半導体素子および電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023038266A ,2023-03-16
[2]
撮像素子、半導体素子および電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020059495A1 ,2021-09-24
[3]
半導体素子およびその製造方法、並びに電子機器[ja] [P]. 
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[4]
電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP6329951B2 ,2018-05-23
[5]
電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja] [P]. 
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[7]
受光素子および電子機器[ja] [P]. 
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[8]
撮像素子および電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020137282A1 ,2021-11-11
[9]
酸化物系半導体材料および半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP6150752B2 ,2017-06-21
[10]
有機半導体材料および電子部品[ja] [P]. 
日本专利 :JP5810152B2 ,2015-11-11