半導体素子および電子機器[ja]

被引:0
申请号
JP20230003152
申请日
2023-01-12
公开(公告)号
JP2023038266A
公开(公告)日
2023-03-16
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L27/146
IPC分类号
H01L27/144 H01L31/10
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
撮像素子、半導体素子および電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020059495A1 ,2021-09-24
[2]
半導体記憶素子、および電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017179314A1 ,2019-02-21
[3]
半導体素子およびその製造方法、並びに電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018194030A1 ,2020-05-14
[4]
受光素子および電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019131134A1 ,2021-01-21
[5]
撮像素子および電子機器[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020137282A1 ,2021-11-11
[6]
電極材料および半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004097849A1 ,2006-07-13
[7]
電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP6329951B2 ,2018-05-23
[8]
電荷輸送半導体材料および半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015534702A ,2015-12-03