半導体装置、固体撮像素子、製造方法、および電子機器[ja]

被引：0

申请号：

JP20190550995

申请日：

2018-10-12

公开(公告)号：

JPWO2019082689A1

公开(公告)日：

2020-12-03

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/301 H01L27/146 H04N5/369

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共 50 条

[1]

撮像素子、半導体素子および電子機器[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020059495A1 ,2021-09-24

[2]

固体撮像素子および電子機器[ja] [P].

OBANA YOSHIAKI ;

NEGISHI YUKI ;

HASEGAWA TAKEHIRO ;

TAKEMURA ICHIRO ;

ENOKI OSAMU ;

MOGI HIDEAKI ;

MATSUZAWA NOBUYUKI .

日本专利 :JP2022017302A ,2022-01-25

[3]

撮像素子および電子機器[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020137282A1 ,2021-11-11

[4]

半導体素子および電子機器[ja] [P].

日本专利 :JP2023038266A ,2023-03-16

[5]

半導体素子およびその製造方法、並びに電子機器[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018194030A1 ,2020-05-14

[6]

受光素子、受光素子の製造方法、撮像素子および電子機器[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017126204A1 ,2018-11-15

[7]

膜の製造方法、有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020111277A1 ,2021-10-14

[8]

半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P].

TAKIZAWA SHUICHI ;

SHIOMI HARUNORI .

日本专利 :JP2022095628A ,2022-06-28

[9]

半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018016213A1 ,2019-05-23

[10]

半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P].

TANAKA HAJIME .

日本专利 :JP2025036957A ,2025-03-17

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