光学活性エポキシ化合物の製造方法、並びに該方法に用いる配位子、錯体、該配位子の製造方法、及び該錯体の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20110522875

申请日：

2010-07-16

公开(公告)号：

JP5752036B2

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C07D301/12

IPC分类号：

B01J31/22 B01J31/38 C07B53/00 C07D207/09 C07D211/26 C07D303/04 C07D303/08 C07D491/153 C07D493/04

代理机构：

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法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

光学活性エポキシ化合物の製造方法、並びに該方法に用いる配位子、錯体、該配位子の製造方法、及び該錯体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011007877A1 ,2012-12-27

[2]

光学活性なエポキシ化合物の製造方法、並びに該方法に用いる錯体及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006087874A1 ,2008-07-03

[3]

配位子、高分子錯体及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015119268A1 ,2017-03-30

[4]

不斉四座配位子及びその製造方法並びに該不斉四座配位子の遷移金属錯体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019156134A1 ,2021-02-04

[5]

新規化合物とその錯体並びに錯体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5635443B2 ,2014-12-03

[6]

ルテニウム錯体及び該錯体の製造方法並びに、該錯体を触媒として用いる光学活性２級アルコールの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7648643B2 ,2025-03-18

[7]

鉄錯体の製造方法及び鉄錯体を用いたエステル化合物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6866371B2 ,2021-04-28

[8]

鉄錯体の製造方法及び鉄錯体を用いたエステル化合物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018003587A1 ,2019-07-11

[9]

光学活性なアジリジン化合物及びアミン化合物の製造方法、並びに該方法に用いる錯体及びその中間体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006003795A1 ,2008-04-17

[10]

化合物及び該化合物の製造方法[ja] [P].

ESAKI VAIDAS ;

TAKAISHI YU ;

HARA HISAFUMI ;

INOUE YOSHIAKI .

日本专利 :JP2025043276A ,2025-03-28

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