絶縁基板、多層セラミック絶縁基板、パワー半導体装置と絶縁基板の接合構造体、及びパワー半導体モジュール[ja]

被引：0

申请号：

JP20140531645

申请日：

2013-08-21

公开(公告)号：

JPWO2014030659A1

公开(公告)日：

2016-07-28

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L23/12

IPC分类号：

H01L23/13 H01L23/36 H01L23/373 H01L25/07 H01L25/18 H05K1/09 H05K3/46

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 45 条

[1]

絶縁基板及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015132969A1 ,2017-04-06

[2]

絶縁シート、積層体、及び基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019203266A1 ,2021-02-12

[3]

パワー半導体モジュール装置及びパワー半導体モジュール製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018212342A1 ,2020-03-19

[4]

パワー半導体モジュール[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016031462A1 ,2017-04-27

[5]

パワー半導体モジュール及びパワーユニット装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012127696A1 ,2014-07-24

[6]

絶縁回路基板用端子および絶縁回路基板複合体および半導体装置複合体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018164206A1 ,2020-01-09

[7]

金属－セラミックス接合基板セット、パワーモジュール、及びパワーモジュールの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025181170A ,2025-12-11

[8]

パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびパワーモジュール用基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017188254A1 ,2019-02-28

[9]

絶縁回路基板およびその製造方法、半導体モジュールおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025178693A ,2025-12-09

[10]

セラミックス回路基板および半導体モジュール[ja] [P].

NABA TAKAYUKI ;

KATO HIROMASA ;

YANO KEIICHI .

日本专利 :JP2022046758A ,2022-03-23

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