磁気抵抗効果素子の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20140552881

申请日：

2013-09-04

公开(公告)号：

JPWO2014097510A1

公开(公告)日：

2017-01-12

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10N50/01

IPC分类号：

H01L21/316 H01L21/8246 H01L27/105 H10N15/00 H10N35/85 H10N50/10 H10N50/80

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

磁気抵抗素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011081203A1 ,2013-05-13

[2]

磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009110608A1 ,2011-07-14

[3]

磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019150885A1 ,2020-02-06

[4]

磁気抵抗効果素子、及び磁気記録再生装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011064822A1 ,2013-04-11

[5]

磁気抵抗素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020095753A1 ,2021-10-14

[6]

抵抗変化素子の製造法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009104789A1 ,2011-06-23

[7]

基板処理装置及び金属膜のエッチング方法、磁気抵抗効果素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013099719A1 ,2015-05-07

[8]

基板処理装置及び金属膜のエッチング方法、磁気抵抗効果素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5807071B2 ,2015-11-10

[9]

抵抗変化素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008075414A1 ,2010-04-02

[10]

トンネル磁気抵抗素子の製造方法および製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009157064A1 ,2011-12-01

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