抵抗変化素子の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20080550008

申请日：

2006-12-19

公开(公告)号：

JPWO2008075414A1

公开(公告)日：

2010-04-02

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L27/10

IPC分类号：

H10N99/00

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法律状态信息

共 50 条

[1]

抵抗変化素子の製造法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009104789A1 ,2011-06-23

[2]

抵抗変化素子及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008075413A1 ,2010-04-02

[3]

磁気抵抗効果素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014097510A1 ,2017-01-12

[4]

光学素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011045893A1 ,2013-03-04

[5]

ＧＳＲ素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7203400B1 ,2023-01-13

[6]

光電変換素子及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013035184A1 ,2015-03-23

[7]

ＥＳＤ保護素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009001649A1 ,2010-08-26

[8]

透光性導電膜の製造方法および光電変換素子の製造方法[ja] [P].

IMAMURA KOKI ;

SAKAI TOSHIKATSU ;

SATO HIROTO ;

AIHARA SATOSHI .

日本专利 :JP2023169648A ,2023-11-30

[9]

分析素子チップの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011161895A1 ,2013-08-19

[10]

光学素子及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014196256A1 ,2017-02-23

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