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強誘電体記憶素子、その製造方法、ならびにそれを用いたメモリセルおよびそれを用いた無線通信装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160570054
申请日
:
2016-11-21
公开(公告)号
:
JPWO2017090559A1
公开(公告)日
:
2018-09-06
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/8246
IPC分类号
:
H01L21/8234
H01L27/06
H01L27/08
H01L27/088
H01L27/10
H01L27/105
H01L29/786
H10K99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
強誘電体記憶素子、その製造方法、ならびにそれを用いたメモリセルおよびそれを用いた無線通信装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6926475B2
,2021-08-25
[2]
集積回路およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019087937A1
,2020-09-24
[3]
集積回路およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7230509B2
,2023-03-01
[4]
コンデンサおよびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017069059A1
,2018-08-09
[5]
コンデンサおよびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6919198B2
,2021-08-18
[6]
誘電体フィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5762191B2
,2015-08-12
[7]
誘電体フィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5721497B2
,2015-05-20
[8]
無線通信装置及びそれを用いた無線通信方法[ja]
[P].
KIM DONGTAK
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ZN TECH CO LTD
ZN TECH CO LTD
KIM DONGTAK
;
PARK CHUL-GYUN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ZN TECH CO LTD
ZN TECH CO LTD
PARK CHUL-GYUN
;
KANG CHANGSOO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ZN TECH CO LTD
ZN TECH CO LTD
KANG CHANGSOO
;
KIM BEOMSOO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ZN TECH CO LTD
ZN TECH CO LTD
KIM BEOMSOO
.
日本专利
:JP2025092473A
,2025-06-19
[9]
無線通信装置、およびそれを用いる無線通信方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5923128B2
,2016-05-24
[10]
増幅回路ならびにそれを用いた送信装置および通信装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011148711A1
,2013-07-25
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