薄膜トランジスタ、および、薄膜トランジスタの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20220117340

申请日：

2022-07-22

公开(公告)号：

JP2022141883A

公开(公告)日：

2022-09-29

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/312 H01L21/336

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法律状态信息

共 50 条

[1]

薄膜トランジスタ、および、薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7115610B1 ,2022-08-09

[2]

薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

IMAMURA CHIHIRO ;

ITO MANABU ;

TANAKA KOICHI .

日本专利 :JP2022121355A ,2022-08-19

[3]

薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6897897B1 ,2021-07-07

[4]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

ZHANG HONGLI ;

ITO MANABU .

日本专利 :JP2024081291A ,2024-06-18

[5]

薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005008785A1 ,2006-09-07

[6]

有機薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006129718A1 ,2009-01-08

[7]

薄膜トランジスタアレイ[ja] [P].

ITO MANABU .

日本专利 :JP2024072116A ,2024-05-27

[8]

薄膜トランジスタアレイ[ja] [P].

ITO MANABU .

日本专利 :JP2024072115A ,2024-05-27

[9]

電界効果型トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005008784A1 ,2006-09-28

[10]

薄膜トランジスタおよび高分子化合物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019009152A1 ,2020-04-30

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