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電界効果型トランジスタおよびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20050511874
申请日
:
2004-07-13
公开(公告)号
:
JPWO2005008784A1
公开(公告)日
:
2006-09-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H10N10/856
H01L27/32
H01L51/00
H01L51/05
H01L51/30
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電界効果型トランジスタの製造方法および無線通信装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020080109A1
,2021-09-02
[2]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007125671A1
,2009-09-10
[3]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009038120A1
,2011-01-06
[4]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008047896A1
,2010-02-25
[5]
電界効果トランジスタ及びその形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015508575A
,2015-03-19
[6]
薄膜トランジスタおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005008785A1
,2006-09-07
[7]
有機積層膜を形成するための塗液、電界効果トランジスタの製造方法、および電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006019133A1
,2008-05-08
[8]
有機電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2014530490A
,2014-11-17
[9]
有機電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2015507840A
,2015-03-12
[10]
GaN系電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003071607A1
,2005-06-16
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