電界効果型トランジスタおよびその製造方法[ja]

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申请号
JP20050511874
申请日
2004-07-13
公开(公告)号
JPWO2005008784A1
公开(公告)日
2006-09-28
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
H10N10/856 H01L27/32 H01L51/00 H01L51/05 H01L51/30
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007125671A1 ,2009-09-10
[3]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038120A1 ,2011-01-06
[4]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008047896A1 ,2010-02-25
[5]
電界効果トランジスタ及びその形成方法[ja] [P]. 
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[6]
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[8]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
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[9]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
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[10]
GaN系電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
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