電界効果トランジスタ[ja]

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申请号
JP20080539881
申请日
2007-10-19
公开(公告)号
JPWO2008047896A1
公开(公告)日
2010-02-25
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C07D495/04
IPC分类号
C07D517/04 H01L21/336 H01L29/786 H01L29/80 H10K99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007125671A1 ,2009-09-10
[2]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038120A1 ,2011-01-06
[3]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006132419A1 ,2009-01-08
[4]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010098372A1 ,2012-09-06
[5]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005001940A1 ,2006-08-10
[6]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015507840A ,2015-03-12
[7]
電界効果型トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013108630A1 ,2015-05-11
[8]
電界効果型トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014142105A1 ,2017-02-16
[9]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2014530490A ,2014-11-17
[10]
GaN系電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003071607A1 ,2005-06-16