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電界効果トランジスタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20050511035
申请日
:
2004-06-24
公开(公告)号
:
JPWO2005001940A1
公开(公告)日
:
2006-08-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H01L21/312
H01L51/05
H01L51/30
H10N10/856
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007125671A1
,2009-09-10
[2]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006132419A1
,2009-01-08
[3]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010098372A1
,2012-09-06
[4]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009038120A1
,2011-01-06
[5]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008047896A1
,2010-02-25
[6]
電界効果型トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013108630A1
,2015-05-11
[7]
電界効果型トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014142105A1
,2017-02-16
[8]
有機電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2015507840A
,2015-03-12
[9]
化合物半導体電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP6227154B2
,2017-11-08
[10]
化合物半導体電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016042861A1
,2017-05-25
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