電界効果トランジスタ[ja]

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申请号
JP20050511035
申请日
2004-06-24
公开(公告)号
JPWO2005001940A1
公开(公告)日
2006-08-10
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
H01L21/312 H01L51/05 H01L51/30 H10N10/856
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007125671A1 ,2009-09-10
[2]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006132419A1 ,2009-01-08
[3]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010098372A1 ,2012-09-06
[4]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038120A1 ,2011-01-06
[5]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008047896A1 ,2010-02-25
[6]
電界効果型トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013108630A1 ,2015-05-11
[7]
電界効果型トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014142105A1 ,2017-02-16
[8]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015507840A ,2015-03-12
[9]
化合物半導体電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6227154B2 ,2017-11-08
[10]
化合物半導体電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016042861A1 ,2017-05-25