化合物半導体電界効果トランジスタ[ja]

被引:0
申请号
JP20160548588
申请日
2015-06-10
公开(公告)号
JPWO2016042861A1
公开(公告)日
2017-05-25
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/812
IPC分类号
H01L21/28 H01L21/3205 H01L21/336 H01L21/338 H01L21/768 H01L23/522 H01L23/532 H01L29/417 H01L29/423 H01L29/49 H01L29/778 H01L29/78
代理机构
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法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
化合物半導体電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6227154B2 ,2017-11-08
[2]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007125671A1 ,2009-09-10
[3]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006132419A1 ,2009-01-08
[4]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010098372A1 ,2012-09-06
[5]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005001940A1 ,2006-08-10
[6]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038120A1 ,2011-01-06
[7]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008047896A1 ,2010-02-25
[8]
電界効果型化合物半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015025349A1 ,2017-03-02
[9]
電界効果型化合物半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6222231B2 ,2017-11-01
[10]
電界効果型トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013108630A1 ,2015-05-11