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化合物半導体電界効果トランジスタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160548588
申请日
:
2015-06-10
公开(公告)号
:
JPWO2016042861A1
公开(公告)日
:
2017-05-25
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/812
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L21/3205
H01L21/336
H01L21/338
H01L21/768
H01L23/522
H01L23/532
H01L29/417
H01L29/423
H01L29/49
H01L29/778
H01L29/78
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物半導体電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP6227154B2
,2017-11-08
[2]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007125671A1
,2009-09-10
[3]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006132419A1
,2009-01-08
[4]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010098372A1
,2012-09-06
[5]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005001940A1
,2006-08-10
[6]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009038120A1
,2011-01-06
[7]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008047896A1
,2010-02-25
[8]
電界効果型化合物半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015025349A1
,2017-03-02
[9]
電界効果型化合物半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6222231B2
,2017-11-01
[10]
電界効果型トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013108630A1
,2015-05-11
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