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電界効果トランジスタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090533172
申请日
:
2008-09-18
公开(公告)号
:
JPWO2009038120A1
公开(公告)日
:
2011-01-06
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10K99/00
IPC分类号
:
C07D495/04
C07D517/04
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007125671A1
,2009-09-10
[2]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008047896A1
,2010-02-25
[3]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006132419A1
,2009-01-08
[4]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010098372A1
,2012-09-06
[5]
電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005001940A1
,2006-08-10
[6]
有機電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2015507840A
,2015-03-12
[7]
電界効果型トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013108630A1
,2015-05-11
[8]
電界効果型トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014142105A1
,2017-02-16
[9]
有機電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2014530490A
,2014-11-17
[10]
GaN系電界効果トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003071607A1
,2005-06-16
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