電界効果トランジスタ[ja]

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申请号
JP20110501631
申请日
2010-02-25
公开(公告)号
JPWO2010098372A1
公开(公告)日
2012-09-06
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C07D495/04
IPC分类号
H10K99/00 C07C319/14 C07C323/22 H01L21/336 H01L29/786
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007125671A1 ,2009-09-10
[2]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006132419A1 ,2009-01-08
[3]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005001940A1 ,2006-08-10
[4]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038120A1 ,2011-01-06
[5]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008047896A1 ,2010-02-25
[6]
電界効果型トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013108630A1 ,2015-05-11
[7]
電界効果型トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014142105A1 ,2017-02-16
[8]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015507840A ,2015-03-12
[9]
化合物半導体電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6227154B2 ,2017-11-08
[10]
化合物半導体電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016042861A1 ,2017-05-25