半導体デバイスのゲート構造および製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20190540366

申请日：

2018-07-03

公开(公告)号：

JP2020507211A

公开(公告)日：

2020-03-05

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/76 H01L29/78

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共 50 条

[1]

スプリットゲート構造の半導体デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023545549A ,2023-10-30

[2]

半導体デバイスおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018109970A1 ,2019-10-24

[3]

半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

DAVID LYSACEK ;

JAN HYBL ;

DUSAN POSTULKA ;

JURAJ JARINA ;

VIT JANIREK ;

ALEXANDRA SENKOVA .

日本专利 :JP2024031904A ,2024-03-07

[4]

デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19

[5]

酸化物焼結体および半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6137111B2 ,2017-05-31

[6]

酸化物焼結体および半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6409324B2 ,2018-10-24

[7]

半導体構造体および半導体構造体を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020532124A ,2020-11-05

[8]

水素ガスの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018135144A1 ,2019-11-07

[9]

静電放電保護構造、半導体パワーデバイス、およびその製造方法[ja] [P].

KUO TACHUAN ;

HU CHIA-WEI ;

KAI WAN-YU .

日本专利 :JP2025117525A ,2025-08-12

[10]

構造体および構造体の製造方法[ja] [P].

TERAI MUTSUMI ;

HITORA TOSHIMI .

日本专利 :JP2025125484A ,2025-08-27

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