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半導体装置の製造方法、及び成膜装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110549960
申请日
:
2011-01-07
公开(公告)号
:
JPWO2011086971A1
公开(公告)日
:
2013-05-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/285
IPC分类号
:
C23C16/38
H01L21/3205
H01L21/768
H01L23/532
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7075525B2
,2022-05-25
[2]
半導体装置の製造方法及び成膜装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6976213B2
,2021-12-08
[3]
成膜装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7115688B2
,2022-08-09
[4]
成膜装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5634366B2
,2014-12-03
[5]
半導体装置の製造方法及び成膜装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7330035B2
,2023-08-21
[6]
成膜装置、成膜方法、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7589081B2
,2024-11-25
[7]
成膜方法、成膜装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5627984B2
,2014-11-19
[8]
成膜方法、半導体装置の製造方法、半導体装置および成膜装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004112114A1
,2006-07-27
[9]
成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5938164B2
,2016-06-22
[10]
成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7668093B2
,2025-04-24
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