炭化珪素単結晶の製造方法[ja]

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申请号
JP20150504397
申请日
2014-03-06
公开(公告)号
JPWO2014136903A1
公开(公告)日
2017-02-16
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C30B29/36
IPC分类号
C30B19/04
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
炭化珪素粉体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009031641A1 ,2010-12-16
[2]
SiC単結晶の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015072136A1 ,2017-03-16
[3]
単結晶製造装置、及び単結晶製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011125891A1 ,2013-07-11
[4]
結晶の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7688467B1 ,2025-06-04
[5]
結晶の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7751354B1 ,2025-10-08
[7]
無機結晶の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006132188A1 ,2009-01-08