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炭化珪素単結晶の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150504397
申请日
:
2014-03-06
公开(公告)号
:
JPWO2014136903A1
公开(公告)日
:
2017-02-16
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B29/36
IPC分类号
:
C30B19/04
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
炭化珪素粉体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009031641A1
,2010-12-16
[2]
SiC単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015072136A1
,2017-03-16
[3]
単結晶製造装置、及び単結晶製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011125891A1
,2013-07-11
[4]
結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7688467B1
,2025-06-04
[5]
結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7751354B1
,2025-10-08
[6]
金属−炭化珪素質複合体、及び金属−炭化珪素質複合体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020013300A1
,2021-08-26
[7]
無機結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006132188A1
,2009-01-08
[8]
単環芳香族炭化水素製造用触媒および単環芳香族炭化水素の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012091119A1
,2014-06-05
[9]
単環芳香族炭化水素製造用触媒および単環芳香族炭化水素の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011013272A1
,2013-01-07
[10]
単環芳香族炭化水素製造用触媒および単環芳香族炭化水素の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011001572A1
,2012-12-10
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