単結晶製造装置、及び単結晶製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20120509603

申请日：

2011-03-31

公开(公告)号：

JPWO2011125891A1

公开(公告)日：

2013-07-11

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B7/10

IPC分类号：

C30B29/16

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法律状态信息

共 50 条

[1]

ＳｉＣ単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015072136A1 ,2017-03-16

[2]

炭化珪素単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014136903A1 ,2017-02-16

[3]

結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7688467B1 ,2025-06-04

[4]

結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7751354B1 ,2025-10-08

[5]

ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶、ＧａＮ結晶基板、半導体装置およびＧａＮ結晶製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008059901A1 ,2010-03-04

[6]

ヒ化ガリウム単結晶及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025513423A ,2025-04-24

[7]

単結晶体、赤外線受光素子及び単結晶体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020100330A1 ,2021-02-15

[8]

ＳｉＣ単結晶ウエハーとその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011024931A1 ,2013-01-31

[9]

無機結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006132188A1 ,2009-01-08

[10]

酸化物多結晶膜の製造方法、酸化物多結晶膜の製造装置[ja] [P].

NAKAJIMA TOMOHIKO ;

YAMAGUCHI IWAO ;

NOMOTO JUNICHI ;

KITANAKA YUKI .

日本专利 :JP2024080234A ,2024-06-13

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